一种1200V平面快恢复二极管终端结构设计.一种1200（北京微电子技术研究所，北京100076）摘要：主要通过对场板和场限环结构的理论分析，总结了器件终端结构影响击穿电压的相关因素，提出采用场限环和场板的组合设计，可大大降低环间距、氧化层厚度...
【技术领域】本发明属于微电子制作工艺技术领域，具体为一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法。【背景技术】目前，半导体碳化硅肖特基二极管在进行器件耐压设计时，主要通过场版或场环等单一终端结构来提升二极管耐压。场版通过电容作用调节主结附近的电场分布，场版对介质层...
3.3kvfsrd复合结终端结构的研究word格式.docx,摘要论文题目:3.3kVFSRD复合结终端结构的研究学科名称:集成电路工程他骂费研究生:李丹签名:在扑指导教师:王彩琳教授王富珍教授级高工签名:去白;摘要高压快速软恢复二极管(FSRD)广泛应用于电力...
本文研究了一种新型高压SiCPiN功率二极管体终端技术来实现JTE宽窗设计,从而有效提升了器件的击穿特性。具体工作如下:首先,简要介绍了高压SiCPiN功率二极管的反向击穿设计的相关器件物理过程,通过理论分析了理想器件反向耐压设计的核心参数(漂移区厚度、掺杂浓度)与击穿电压的关系。
4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)具有导通电阻低、开关特性好等优势，在电力电子领域得到了广泛的应用。.高效的终端结构、合理的工艺流程是实现高电压等级SiCSBD的关键因素。.在众多的终端结构中，结终端扩展(JTE)以其终端效率高、占用面积小、工艺上...
第三,本文了带Ar注入区终端结构的Ga203基肖特基二极管。测试结果表明,Ar离子注入并未对器件的正向特性造成影响,且该器件具有良好的正向导通特性,包括低特征导通电阻(5.5mΩ·cm2)、理想因子(1.05)相当接近1、高肖特基势垒(1.32eV)、高正向导通电流密度(133A/cm2@2V)。
电气基础知识：认识晶体二极管.晶体二极管常被人们简称为二极管，它由一个PN结、两条电极引线和管壳构成。.由P区引出的电极为正极，N区引出的电极为负极（如果在二极管实物外壳的两端中的一端看见有一条横条，则这一端为负极）。.如下图所示为二极管...
半导体器件终端技术浅谈——场板.yilin.半导体.38人赞同了该文章.在半导体的世界里，材料的表面和界面的特性是非常重要的。.尽管与体材料相比，表面和界面只是很小的部分，但是，他们却可能成为决定器件特性的关键点。.例如，在功率半导体中非常...
一种终端结构设计的高压大功率快恢复二极管.1.引言.击穿电压是电力电子器件最重要的参数之一，它和最大电流容量一起决定了电力电子器件的额定功率。.其中，硅基功率FRD通常是通过一个大面积pn结，以保证实现大电流工作。.但是，对于高压工作的FRD来说...
2017届优秀毕业论文（二）作者：时间：2018-09-12点击数：MPS的少子特性电子科学与技术...4H-SiC混合PiN/Schottky二极管的一种复合终端结构的研究[J].西安电子科技大学,2010[2]关艳霞,李银娜.混合PiN/Schottky二极管的研究...
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平面快恢复二极管(FRD),最后通过实际流片验证此终端结构具有良好的电压重复性及一致性.对功率器件终端结构的设计具有...殷丽北京微电子技术研究所王传敏北京微电子技术研究所...
null罗淑斌分享于2011-09-1310:07:0暂无简介文档格式:.pdf文档页数:5页文档大小:2.13M文档热度:文档分类:论文--期刊/会议论文系统标签:场板终端...
毕业论文1引言随着科学技术的不断发展,人们应用的电器设备随之崛起,因此半导体二极管也随之发展,它在许多的电路中起着重要。例如:在冶金工业、化工生产...
电工电子综述性论文之二极管学校:合肥学院年级:12级化工(1)班学号:1203021035姓名:王瑾瑾老师:朱晓平日期:2013/11/24引言在现在这样科技发展的生活中,...
一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法对四个不同电流容量的进口SBD管芯进行纵向结构的解剖与分析.阐述了金属一半导体表面势垒,多层金属(或合金)的元素,厚度及合金...
摘要:为了能够获得性能良好、击穿稳定的高压功率超快恢复二极管,本文对场板和场限环两种终端保护结构进行了充分的理论分析和研究,对环间距、场板厚度、场...
西安电子科技大学硕士学位论文4H-SiC高压肖特基二极管及结终端技术研究姓名:宋庆文申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:张玉明20100101...
着结面弯曲效应而影响器件击穿电压的主要因素74半导体技术第卷增刊年月3520107殷丽等一种平面快恢复二极管终端结构的设计:1200V櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶...
天津赛米卡尔科技有限公司技术团队近期对GaN基肖特基二极管(SBD)器件的边缘结终端进行了设计与器件[图1(a)],该器件架构解决了传统沟槽MOS型肖特基二极管(TMBS)器件沟槽边缘处...