200亿元功率芯片项目落户赣州
2020/02/08
金刚石热管理技术提高了氮化镓晶体管的功率
更新时间:2020-02-08
《半导体信息》
2019年第6期
《半导体信息》2019年第6期文献
2020年半导体有望复苏预计获利年增8至12
2020/02/08
2023年RF_GaN市场增长至17亿美元_Qorvo等受益
2020/02/08
Ⅱ-Ⅵ签署史上金额最大订单超1亿美元为5G基站射频功率放大器提供碳化硅衬底
2020/02/08
ADI的RF前端系列支持实现紧凑型5G大规模MIMO网络无线电
2020/02/08
FBH主导的“基于AlN的功率晶体管(ForMikro-LeitBAN)”的项目启动
2020/02/08
GaN(氮化镓)逆变器成功应用于电动汽车有望实现节能再增20%
2020/02/08
GaN和SiC增利效应拉高市场竞逐日趋白热化
2020/02/08
Nexperia推出高性能高效率氮化镓功率器件(GaN FET)
2020/02/08
Pre-Switch的软开关IGBT和SiC栅极驱动架构大幅降低了太阳能逆变器的成本
2020/02/08
Soitec宣布与Applied Materials联合开发下一代碳化硅衬底的开发计划
2020/02/08
TDK推出用于5G网络毫米波段的积层带通滤波器
2020/02/08
UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET具有更高效率和更低损耗
2020/02/08
Vishay推出新款共漏极双N沟道60VMOSFE
2020/02/08