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所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此，一些化学性活泼或熔点极高的材料，由于没有合适的坩埚，而不能用此法制备单晶体，而要改用区熔法晶体生长或其他方法。 2）区熔法区熔法可用于制备单晶和提纯材料,
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[1] 苏旭, 常彦龙, 马传利, 王春明. 单晶硅表面贵金属晶粒层的制备[J]. 化学学报, 2008,(10) [2] 胡沙. 金川现有精炼流程改进的研宄[J]. 中国有色冶金, 1988,(07) [3] 魏永亨.
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单晶生长制备方法大致可以分为气相生长、溶液生长、水热生长、熔盐法、熔体法。最常见的技术有提拉法、坩埚下降法、区熔法、定向凝固法等；目前除了众多的实际工程应用方法外，借助于计算机和数值计算方法的发展，
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此法为最常用方法，是从结晶物质的熔体中生长晶体。适用于光学半导体，激光技术上需要的单晶材料。（一）晶体生长的必要条件。根据晶体生长时体系中存在的——由熔体（m）向晶体（C）自发转变时——两相间自由焓的关系：Gm
[1] 苏旭, 常彦龙, 马传利, 王春明. 单晶硅表面贵金属晶粒层的制备[J]. 化学学报, 2008,(10) [2] 胡沙. 金川现有精炼流程改进的研宄
Bubble0104 5人参与回答 2024-09-21 ■锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。■直拉法（CZ）：拉晶前先将设备各部件、合金石英坩埚、高纯锗锭和籽
zcp1211小窝 5人参与回答 2024-09-21 企业回本希焊研是一家专注于研发高品质智能等离子熔覆，激光熔覆为核心，配套自动化装备+工艺技术+耗材应用为整体解决方案的发展方向，打造智能制造与产业生态链相结合的
美美吻臭臭 6人参与回答 2024-09-21 [1] 苏旭, 常彦龙, 马传利, 王春明. 单晶硅表面贵金属晶粒层的制备[J]. 化学学报, 2008,(10) [2] 胡沙. 金川现有精炼流程改进的研宄
小雨012345 5人参与回答 2024-09-21 (一)论文——题目科学论文都有题目，不能“无题”。论文题目一般20字左右。题目大小应与内容符合bai，尽量不设副题，不用第1报、第2报之类。论文题目都用直叙口气
babyfaceonlyme 6人参与回答 2024-09-21 